[发明专利]一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911242369.2 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111009467B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李国强;胡智凯;王文樑;唐鑫 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02;H01L29/872;H01L23/373 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于Cu衬底基GaN整流器的制备方法，从下至上包括Cu衬底、高掺杂GaN高阻层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层及SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 cu 衬底 gan 整流器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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