[发明专利]相变射频开关制造方法有效
| 申请号： | 201911242574.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111129295B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 邢东;吕元杰;赵向阳;冯志红;刘波 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于相变射频开关器件技术领域，提供了一种相变射频开关制造方法，该方法包括：通过在预设半导体绝缘衬底上制备半导体加热电阻，并在半导体加热电阻的两端分别制备电阻加电电极，获得第一样品；在除电阻加电电极之外的第一样品的表面制备隔离层，在隔离层上半导体加热电阻对应位置处制备相变材料薄膜，并在相变材料薄膜的两端分别制备接触电极，获得第二样品，电阻加电电极的方向与接触电极的方向相互垂直；在第二样品的表面制备钝化层，获得相变射频开关。本发明实施例中的相变射频开关是采用半导体材料制作开态关态触发电阻加热器，从而可以提高相变开关可靠性，简化工艺，同时还可以降低相变射频开关集成芯片的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 射频 开关 制造 方法 | ||
【主权项】：
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