[发明专利]晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201911243833.X | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112117186A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋月平 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆切割方法，包括：获得待切割晶圆，待切割晶圆包括隔离层及位于隔离层上的半导体器件层，待切割晶圆包括切割道区域；从隔离层背向半导体器件层的一侧对切割道区域的隔离层进行第一切割，形成贯穿隔离层的第一切割槽；从半导体器件层背向隔离层的一侧，对第一切割槽位置处的半导体器件层进行第二切割，形成贯穿待切割晶圆的切割道，并获得多个分立的芯片。本发明在进行第一切割时，半导体器件层能够对隔离层提供支撑力，从而减小第一切割槽位置处的崩边开口的横向尺寸，相应的，在完成第二切割后，切割道位置处的崩边开口的横向尺寸也较小，从而提高切割后所获得的芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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