[发明专利]极紫外光刻掩模阴影效应补偿方法有效
申请号: | 201911244594.X | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111045289B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 张子南;李思坤;王向朝;成维 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/38;G03F1/68 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种极紫外光刻掩模阴影效应补偿方法,包括建模阶段和补偿阶段。在建模阶段,首先在一定范围内随机生成掩模图形的周期,占空比,二极照明光源的入射方位角和极张角,组合成为样本的特征,然后通过二分搜索法,结合极紫外光刻严格成像仿真模型,计算得到掩模图形的补偿量。最后建立以样本特征为输入,掩模图形补偿量为输出的人工神经网络模型。在补偿阶段,将待补偿掩模的四个参数组合成为样本特征输入建立好的人工神经网络模型,计算得到对应补偿量,达到补偿阴影效应的效果。本发明可快速准确地补偿二极照明条件下一维极紫外光刻掩模图形的阴影效应。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光刻 阴影 效应 补偿 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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