[发明专利]极紫外光刻掩模阴影效应补偿方法有效

专利信息
申请号: 201911244594.X 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111045289B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 张子南;李思坤;王向朝;成维 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G03F1/24 分类号: G03F1/24;G03F1/38;G03F1/68
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种极紫外光刻掩模阴影效应补偿方法,包括建模阶段和补偿阶段。在建模阶段,首先在一定范围内随机生成掩模图形的周期,占空比,二极照明光源的入射方位角和极张角,组合成为样本的特征,然后通过二分搜索法,结合极紫外光刻严格成像仿真模型,计算得到掩模图形的补偿量。最后建立以样本特征为输入,掩模图形补偿量为输出的人工神经网络模型。在补偿阶段,将待补偿掩模的四个参数组合成为样本特征输入建立好的人工神经网络模型,计算得到对应补偿量,达到补偿阴影效应的效果。本发明可快速准确地补偿二极照明条件下一维极紫外光刻掩模图形的阴影效应。
搜索关键词: 紫外 光刻 阴影 效应 补偿 方法
【主权项】:
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