[发明专利]一种弹载FLASH芯片坏块信息存储和使用方法在审

专利信息
申请号: 201911246784.5 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111007989A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 王晖;牛磊磊;戴虹;王玉昊;董三军;姚长虹 申请(专利权)人: 中国空空导弹研究院
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 杜永保
地址: 471009 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种一种弹载FLASH芯片坏块信息存储和使用方法。包括如下措施:a)将每片FLASH芯片的坏块信息写入每片FLASH芯片的同一位置;b)在地面下载设备的FLASH芯片控制软件中增加自动读取坏块信息指令,在FLASH芯片控制软件启动后自动执行自动读取坏块信息指令,自动读取坏块信息并保存到地面下载设备中;c)修改FLASH芯片操作流程,在复位后,优先且自动进行坏块信息的读取,将FLASH芯片的坏块信息读出,并存入主控制芯片的RAM存储单元。由于相比较传统方案,主控制芯片程序与FLASH芯片控制软件可以轻易得到相同且最新的FLASH芯片坏块信息,使得FLASH芯片控制软件、主控制芯片程序的兼容性更好,更易于维护。
搜索关键词: 一种 flash 芯片 信息 存储 使用方法
【主权项】:
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