[发明专利]一种实现SiC外延曲线形掺杂分布的方法有效
| 申请号： | 201911247158.8 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111029250B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李赟;李忠辉;赵志飞;王翼;周平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现SiC外延曲线形掺杂分布的方法。以化学气相淀积生长技术为基础，对曲线形分布进行分段线性拟合，固定生长源及进气端碳硅比，利用质量流量计实现掺杂源流量随时间的线性变化，实现每个区间段内掺杂浓度的线性分布，最终通过多段线性掺杂浓度变化组合，实现整个外延层中曲线形的掺杂浓度的分布。该方法可以实现特殊的曲线形掺杂浓度分布的外延片，提高器件外延结构的设计范围，具有较高的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 sic 外延 曲线 掺杂 分布 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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