[发明专利]一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法有效
| 申请号： | 201911247203.X | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111029246B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 李赟;李忠辉;赵志飞;王翼;周平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低SiC外延层中三角形缺陷的方法。以化学汽相淀积生长技术为基础，通过设计复合缓冲层，首先采用氯基硅源结合低进气端碳硅比生长首层缓冲层降低螺位错转化成三角形的几率，之后在相同生长温度下,采用硅烷生长具有台阶聚束形貌的缓冲层降低三角形缺陷沿1‑100方向的扩展，本方法在不改变关键工艺参数的前提下，有效降低SiC外延层中三角形缺陷的密度以及三角形缺陷尺寸，提高了外延片的无缺陷面积。该工艺兼容于常规的SiC外延工艺，具有较高的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sic 外延 三角形 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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