[发明专利]一种MOCVD反应系统有效
| 申请号： | 201911248872.9 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113025995B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 田卡;熊旭明;林向阳;迮建军;蔡渊 | 申请（专利权）人： | 苏州新材料研究所有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/46 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;程东辉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种MOCVD反应系统，包括：MOCVD反应腔室，布置于所述MOCVD反应腔室内的加热板，布置于所述加热板上方的喷淋器；所述喷淋器具有朝向所述加热板方向喷射金属有机源气体的喷淋孔；所述喷淋器上固定连接有分别挡在所述喷淋孔左、右两侧的两块挡板。本申请可提高金属有机源气体进入MOCVD反应腔室时的混合效率和均匀性，进而提升超导薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应 系统 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
