[发明专利]一种功率芯片终端结构、功率芯片终端结构的制作方法和装置在审
| 申请号： | 201911250604.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111129110A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 董少华;金锐;刘江;高明超;刘钺杨;和峰;王耀华;李立;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率芯片终端结构、功率芯片终端结构的制作方法和装置，在N型衬底(1)的正面形成P型场限环(2)、截止环(4)和氧化层；在P型场限环(2)、截止环(4)上设置引线孔，基于引线孔在氧化层的正面形成内置场板(6)和截止环金属(9)；在氧化层、内置场板(6)和截止环金属(9)的正面形成钝化层(7)，终端结构不易失效；本发明中内置场板(6)的长度要求不高，降低了设计难度和复杂度；本发明提高了终端结构抗表面电荷玷污能力，降低了功率芯片对电荷的敏感性，进而提高了终端结构的可靠性；本发明工艺简单，与功率芯片传统制造工艺兼容，可实施性强；本发明适用于IGBT、VDMOS、FRD等多种功率芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 芯片 终端 结构 制作方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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