[发明专利]一种平坦化反刻方法有效
| 申请号： | 201911250771.5 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111106008B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 何喜炘;江栋 | 申请（专利权）人： | 福建福顺微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;郭鹏飞 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平坦化反刻方法，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲层的速率比为1。上述方案通过二次腐蚀并相应调整速率及腐蚀厚度，最终达到更好地平坦化电路板的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 化反刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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