[发明专利]一种PIN二极管深台成型方法有效
| 申请号： | 201911250870.3 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN111048595B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 汤寅;王霄;刘洪军;杨勇;韩宝妮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 朱小兵 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PIN二极管深台成型方法，包括如下步骤：正面蒸铝；第一次光刻；第一次腐蚀；ICP刻蚀；第二次光刻；第二次腐蚀；背面蒸铝；以及各向异性腐蚀，形成正梯形深台结构。本发明通过铝膜掩蔽、二次光刻，以及控制干法刻蚀和各向异性腐蚀深度的比例，达到刻蚀出正梯形深台的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 二极管 成型 方法 | ||
【主权项】：
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