[发明专利]一种新型结构的APD四象限探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅雪崩光电探测器，尤其涉及一种新型结构的APD四象限探测器及其制备方法，所述探测器自上向下依次包括正面钝化层(1)、N电极(2)、N+有源区(3)、P‑雪崩区(4)、P型衬底层(5)、P+光敏区(6)、背面钝化层(7)、增透层(8)以及P电极(9)；在正面P‑雪崩区(4)、N+有源区周围设计制作有一个P+截止环(10)及两个N+保护环(11)，两个N+保护环(11)设置在内侧，P+截止环(10)设置在外侧；本发明的探测器有效避免器件边缘击穿，减小像元间距离，增大探测面积；背照式硅APD吸收光子产生的电子‑空穴对中，空穴未参与倍增，可有效降低器件噪声。