[发明专利]一种硅电极加工的工艺方法在审
| 申请号： | 201911254218.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928006A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅电极加工的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)将从加工中心加工好的硅电极进行超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第一次抛光；(2)将抛光完的硅电极进行超声清洗、烘干，然后用夹具装硅电极放入盛有混酸的腐蚀槽进行腐蚀，混酸的配比为：氢氟酸45％‑65％∶硝酸45％‑65％∶冰醋酸98％＝50％‑70％∶10％‑30％∶10％‑20％；(3)将腐蚀完的硅电极超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第二次抛光；(4)将抛光完的硅电极进行超声清洗、HF酸洗、烘干。采用本发明的工艺方法可以制造导气孔直径一致性很高的硅电极，该硅电极的离子注入精度很好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 加工 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司，未经有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911254218.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
