[发明专利]一种提高薄片磁体抗退磁能力的方法在审
| 申请号： | 201911254849.0 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890211A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 严长江;钱尼健 | 申请（专利权）人： | 宁波科田磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴轶淳 |
| 地址： | 315034 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及烧结钕铁硼磁体加工领域，尤其涉及一种提高薄片磁体抗退磁能力的方法。包括：步骤S1，沿垂直于烧结钕铁硼毛坯磁体的取向的方向进行加工，制成多片厚度小于2mm的烧结钕铁硼薄片磁体；步骤S2，针对每片烧结钕铁硼薄片磁体，于烧结钕铁硼薄片磁体的表面以物理气相沉积的方式沉积重稀土膜；步骤S3，对烧结钕铁硼薄片磁体进行低温扩散处理；步骤S4，对烧结钕铁硼薄片磁体进行回火处理；步骤S5，沿烧结钕铁硼薄片磁体的长度方向和宽度方向进行加工，形成最终的烧结钕铁硼薄片磁体。上述技术方案的有益效果是：对烧结钕铁硼薄片磁体表面主相及晶界相进行修补，修复了加工过程中对磁体微观结构的破坏，提高磁性能，尤其是抗退磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 薄片 磁体 退磁 能力 方法 | ||
【主权项】：
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