[发明专利]阻变存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201911255220.8 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110854267B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 官郭沁;邹荣;田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，在本发明提供的阻变存储器及其制造方法中，通过在半导体衬底表面形成第一电极，在所述第一电极上形成插层；在所述插层上形成阻变层；在所述阻变层上形成阻挡层以及在所述阻挡层上形成第二电极。所述插层能够与所述阻变层配合形成较好的器件性能，能够通过所述插层调制阻变存储器的初始电阻，从而能够增大所述阻变存储器的存储窗口，由此改善所述阻变存储器的工艺均匀性以及性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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