[发明专利]C形有源区半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备在审
| 申请号： | 201911256026.1 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110993681A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种C形有源区半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上竖直延伸的沟道部；相对于衬底处于沟道部的上下两端且沿着沟道部的源/漏部，其中，源/漏部在相对于衬底的横向方向上向着沟道部的一侧延伸，从而源/漏部和沟道部构成C形结构；在所述C形结构的内侧壁上与沟道部相交迭的栅堆叠，其中，栅堆叠具有被所述C形结构围绕的部分；以及在所述C形结构的外侧壁上与沟道部相交迭的背栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 半导体器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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