[发明专利]一种垂直结构光电器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构光电器件及其制备方法，半导体器件制备技术领域，能够解决现有技术的垂直结构光电器件采用短波长激光器进行剥离，存在无法剥离或剥离良率低的问题。制备方法包括在蓝宝石衬底上外延设置光吸收层，光吸收层的吸收波长大于高铝组分氮化物材料的吸收波长；在光吸收层上依次生长高铝组分氮化物材料外延层以及光电器件外延结构，制作形成光电器件芯片结构；在光电器件芯片结构远离光吸收层的一侧固定二次衬底；剥离蓝宝石衬底并去除非电极接触层，形成垂直结构光电器件，其中，非电极接触层包括光吸收层和高铝组分氮化物材料外延层。