[发明专利]电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件有效
| 申请号： | 201911256181.3 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111005043B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘博;王春伟;严钧华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;C23F1/02;C23C14/16;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电镀铜工艺方法及包括其形成的铜互连层的半导体器件，涉及半导体集成电路制造工艺，在电镀铜工艺过程中，在介电层上形成沟槽，并在沟槽内依次沉积阻挡层和铜种子层，用电镀的方法沉积一层铜，但控制本次电镀工艺，使沉积的铜不将沟槽的开口封闭，然后通过电镀液的酸性腐蚀性对沟槽顶部的铜进行蚀刻，由于沟槽本身开口较小，且开口处更容易接触电镀液，因此沟槽的开口进一步变大，最后，用电镀铜将沟槽填满，多余的铜由平坦化工艺去除，如此可避免形成的铜互连层内有空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 镀铜 工艺 方法 包括 形成 互连 半导体器件 | ||
【主权项】：
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