[发明专利]一种新型弯曲不敏感G657单模光纤及其制作方法

摘要

本发明公开了一种新型弯曲不敏感G657单模光纤及其制作方法，其用VAD法制作纤芯及内包层：用OVD法制作掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层；在掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管外沉积纯SiO2外包层多孔体；在掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管内插入预先制作好的掺有GeO2的纤芯及纯硅内包层透明体，烧成一体；将上述预制棒在光纤拉丝塔上拉制成光纤。具有更好的抗弯曲性能和更小的弯曲损耗，以及与G.652光纤有更好的兼容性。实现了在弯曲半径5mm时1550nm波段处的最大宏弯损耗约为0.08dB/圈，并且相对于抗弯曲光纤来说其制造工艺简便容易控制，制造出的光纤完全满足FTTH需求。