[发明专利]包括反熔丝的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911257642.9 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111384023A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李东贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种包括反熔丝的半导体器件及其制造方法。反熔丝包括：沟槽，所述沟槽形成在衬底中；有源区，所述有源区通过所述沟槽而在所述衬底中被限定；基于沟槽的电介质材料，所述基于沟槽的电介质材料形成在所述沟槽中，并且包括与所述有源区的边缘接触的断裂部分；第一导电插塞，所述第一导电插塞形成在所述基于沟槽的电介质材料上以接触所述断裂部分；以及栅极结构，所述栅极结构包括形成在所述有源区上的栅极电介质层和形成在所述栅极电介质层上的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 反熔丝 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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