[发明专利]以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法在审

专利信息
申请号: 201911257764.8 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN111312588A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 高明辉;大久保和哉;户岛宏至 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/308 分类号: H01L21/308;H01L21/033
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 刘雯鑫;杨林森
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式,在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后,通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式,使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物,从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
搜索关键词: 对准 多重 图案 间隔 轮廓 进行 成形 方法
【主权项】:
暂无信息
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