[发明专利]以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法在审
申请号: | 201911257764.8 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111312588A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 高明辉;大久保和哉;户岛宏至 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/308 | 分类号: | H01L21/308;H01L21/033 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘雯鑫;杨林森 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式,在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后,通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式,使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物,从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。 | ||
搜索关键词: | 对准 多重 图案 间隔 轮廓 进行 成形 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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