[发明专利]一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201911258032.0 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111074344B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林静;余粤锋;张志杰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;C25B11/067;C25B11/053;C25B11/091;C25B1/55;C25B1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 桂婷 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域，具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底，显著提高了纳米柱电极的导电性，有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时，新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 gaas 衬底 in gan 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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