[发明专利]基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201911258112.6 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111063724A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张进成;宋秀峰;赵胜雷;张苇杭;刘志宏;边照科;陈大正;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/36;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于漂移区多层渐变掺杂的垂直AlN肖特基二极管，主要解决现有技术无法同时实现低导通电阻和高击穿电压的问题。其自下而上包括衬底(1)、n+层(2)和漂移区(3)，衬底(1)的下部设有阴极(4)，漂移区(3)的上部设有阳极(5)，漂移区(3)和阳极(5)的上部设有钝化层(6)，该漂移区(3)由n层掺杂浓度自下而上线性递减的AlN漂移层构成，且衬底、n+层和漂移区均采用AlN材料，漂移区采用多层渐变掺杂结构。本发明能同时实现低导通电阻和高击穿电压，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 漂移 多层 渐变 掺杂 垂直 aln 肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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