[发明专利]石墨烯场发射阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201911258562.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111128633B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 洪序达;梁栋;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J19/24 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯场发射阴极，包括导电基板，结合在所述导电基板一表面的六方氮化硼纳米片薄膜，以及结合在所述六方氮化硼纳米片薄膜背离所述导电基板的表面的石墨烯发射薄膜。本发明提供的石墨烯场发射阴极，具有优异的电流发射稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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