[发明专利]场发射阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201911258955.6 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111081504B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 洪序达;梁栋;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场发射阴极的制备方法，包括以下步骤：提供导电基板；配置六方氮化硼纳米片分散液，在所述导电基板上沉积所述六方氮化硼纳米片分散液，干燥后形成六方氮化硼纳米片薄膜，得到含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板；提供阳极，以所述含有六方氮化硼纳米片薄膜的基板作为阴极，并将所述阴极接地处理；将所述阴极和所述阳极置于真空环境中，对所述阳极施加电压逐渐升高的正向电压，直至发生打火现象，得到六方氮化硼纳米片场发射阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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