[发明专利]一种Si衬底上InGaN纳米柱@Ti-Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201911259096.2 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111036263B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林静;余粤锋;张志杰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/02;C25B1/55;C25B1/04;C25B11/091;C25B11/059;C25B11/052 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 桂婷 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于催化剂领域，具体公开了一种生长在Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合结构及其制备方法与应用。该复合结构包括Si衬底以及生长在Si衬底上的InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料。本发明制备的Ti‑Ni双金属纳米结构助催化剂具有更佳的可调性和协同效应，能增强InGaN纳米柱光生载流子分离与转移效率，提高反应活性位点，显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，该制备方法工艺简单、成本低，为其它半导体复合催化材料的制备提供了一种新型的思路。最后，本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Ti‑Ni纳米粒子复合材料，禁带宽度在0.67～3.4eV范围可调，具有较大的比表面积，对太阳光有较强的吸收，适用于光电解水产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 ingan 纳米 ti ni 粒子 复合 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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