[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法有效
申请号: | 201911259692.0 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN112946994B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 舒强;王占雨;王何宁;覃柳莎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,光学邻近修正方法包括:提供图形单元,包括沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列的多个栅极图形,第一方向和第二方向相垂直,图形单元还包括与栅极图形相交的有源区图形,有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端;对有源区图形沿第一方向进行延展处理形成延展后有源区图形,延展后有源区图形露出栅极图形在第一方向的线端,栅极图形中与延展后有源区图形交叠边作为第一类型边,未与延展后有源区图形交叠的且沿第一方向延伸的边作为第二类型边;将第一类型边分割为多个第一类型片段,将第二类型边分割为多个第二类型片段;对第一类型片段和第二类型片段进行光学邻近修正。本发明提高光学邻近修正的精度。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 掩膜版 制作方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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