[发明专利]一种校准外延设备反应腔温度的方法有效
| 申请号： | 201911260102.6 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110957246B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞;杨龙;吴会旺 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01K7/16;G01K15/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量外延设备反应腔温度的方法。所述方法包括如下步骤：向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温，测量所述测试衬底的方块电阻，计算外延设备反应腔的温度。本发明提供的外延设备反应腔温度测试和校准的方法，不仅实现了在900‑1410℃的温度区间内测量反应腔温度值和温场分布，而且还能够对不同设备之间反应腔的温度进行统一，避免了由于温度感应装置敏感程度不同导致的产品质量的差异，具有较高的准确性，从而提高了产品质量的稳定性和产品批间的稳定性，对于碳化硅产品的质量提高具有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 校准 外延 设备 反应 温度 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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