[发明专利]一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911260778.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN110797409A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超 | 申请（专利权）人： | 启迪新材料(芜湖)有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 34107 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构及其制备方法，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaN/Al | ||
| 搜索关键词： | 多周期 垂直电子 电流孔径 外延结构 低掺杂 孔径层 漂移层 隧穿层 晶体管 导通 漂移 器件击穿电压 电流阻挡层 导通电阻 隧穿效应 硅基衬 周期数 自支撑 衬底 耐压 制备 调控 缓解 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、低掺杂n型GaN漂移层A、多周期GaN/Al
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