[发明专利]微型mini高压整流桥制作工艺在审
申请号: | 201911260948.X | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN110993510A | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 戴亮;杨吉明;匡华强;范宇;马宇腾;徐海军;卞敏龙;薛鸿;张正贵;芮聪 | 申请(专利权)人: | 江苏海德半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈晓华 |
地址: | 214400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种微型mini高压整流桥制作工艺,包括以下步骤:(1)制作整流桥上下料架并合模;(2)焊接;(3)清洗并烘烤;(4)塑封;(5)固化和电镀;(6)切筋成型;(7)测试;(8)回流焊;(9)包装并入库;晶粒的厚度为300‑320um,上料架和下料架中四个晶粒为一组,上料架和下料架的折弯高度为320um,上料架和下料架的折弯弧度为66度;步骤(7)中,测试片的材质为陶瓷。本发明在制作整流桥上下料架并合模时,上料架和下料架中四个晶粒为一组,再进行合模,减少制作步骤还减少了制作材料;测试片的材质为陶瓷,在进行2000V测试时,测试片与整流桥之间不发生火花,提高了整流桥的成品率。 | ||
搜索关键词: | 微型 mini 高压 整流 制作 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏海德半导体有限公司,未经江苏海德半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911260948.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造