[发明专利]半导体测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201911261700.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111081682B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 武城;杨领叶;段淑卿;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构，包括：主测试结构、辅测试结构、两组第一测试焊盘、至少两个第二测试焊盘、第一介电层，所述第二测试焊盘与所述主测试结构电性相连以使所述主测试结构通过两个所述第二测试焊盘分段进行电性测试；进一步的，本发明还提供一种短路测试方法，包括：利用电阻比例法对缺陷点进行粗定位以确定所述缺陷点所在的蛇形结构；通过所述第二测试焊盘并利用电致阻值变化技术对所述缺陷点进行细定位；观察所述缺陷点并采集其SEM图像；制备TEM样品以确定所述主测试结构短路的原因。通过增设第二测试焊盘，所述主测试结构能够分为多段测试结构，使得各段测试结构均可以独立进行电性能测试，从而能够有效找到缺陷点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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