[发明专利]使用氮化镓的选择性沉积形成装置结构的方法和其系统在审
| 申请号： | 201911264028.5 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111326404A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | S.巴纳吉;A.A.I.阿尔宁克;A.Y.科瓦尔金 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司;特文特大学;荷兰科学研究组织 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成装置结构的方法、该方法形成的结构以及执行该方法的系统。所述方法包含以下步骤：在反应室内提供包含表面的衬底，所述表面包含第一部分和第二部分，所述第一部分包含氮化铝和氮化镓中的一种或多种，所述第二部分包含另一种材料；和使用热循环沉积方法，将氮化镓相对于所述第二部分选择性沉积在所述第一部分上。本公开的各种实施例允许使用较少的步骤形成包括(例如，图案化的)氮化镓层的装置结构和/或允许形成具有相对较小的氮化镓特征的装置结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氮化 选择性 沉积 形成 装置 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
