[发明专利]一种基于硅中空纳米碟的宽带横向单向散射实现方法有效
| 申请号： | 201911264074.5 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112946878B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王湘晖;王建鑫 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02B27/00 | 分类号： | G02B27/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产生宽带横向单向散射的纳米光学方法，属于新型纳米光学技术领域。本发明基于聚焦径向偏振光与硅中空纳米碟的相互作用，通过调节纳米碟的内、外环半径、高度这三个结构参数以及纳米碟在焦平面上的横向位移量，使得总电偶极矩的轴向分量和磁偶极矩的横向分量满足同位相和振幅相等的Kerker条件，实现宽带横向单向散射。本发明提出的横向单向散射方法具有：1)宽带响应特性；2)主动调控优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 中空 纳米 宽带 横向 单向 散射 实现 方法 | ||
【主权项】：
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