[发明专利]一种含有背面槽型介质及浮空区的逆导型IGBT在审
| 申请号： | 201911264332.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111048585A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 黄铭敏 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型绝缘介质。所述背面槽型绝缘介质侧面与第二导电类型的浮空区直接接触，所述背面槽型绝缘介质的顶部与第二导电类型的浮空区或第一导电类型的终止环直接接触。所述浮空区用于抑制折回（snap‑back）现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 背面 介质 浮空区 逆导型 igbt | ||
【主权项】：
暂无信息
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