[发明专利]亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置在审
申请号: | 201911264850.1 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN112310136A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 武东星;洪瑞华;陈柏玮 | 申请(专利权)人: | 薛富盛 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置,包括微发光二极管阵列及外部线路组件。微发光二极管阵列包括基板、数沿Y方向间隔布满基板的微发光阵列及阵列用绝缘层。各微发光阵列依序具一沿X方向延伸于基板的第一层、数间隔的发光层、第二层、第一内电极层,更具一延伸于第一层并具间隔围绕发光层的基部及自基部凸伸的凸部的第二内电极层。阵列用绝缘层覆盖基板并裸露第一、二内电极层。外部线路组件包括面向基板的载板、各沿Y、X方向间隔并沿X、Y方向延伸于载板的第一、二外部线路、裸露出第一、二外部线路的线路用绝缘层及键合于第一、二外部线路与第一、二内电极层的电性键合单元,借由载板上的外部线路组件能有效利用阵列设置面面积。 | ||
搜索关键词: | 亮度 均匀 被动 式微 发光二极管 阵列 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的