[发明专利]一种磁性随机存储器自对准顶电极的形成方法有效
| 申请号： | 201911265616.0 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951979B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/80;H10N50/10 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种磁性随机存储器自对准顶电极的形成方法；包括以下步骤：S1设置基底；S2在基底上依次形成粘连层和硬掩模层；S3采用与MTJ相反的图案对MTJ进行图行化定义；S4将MTJ相反图案转移到硬掩模层底部，并对硬掩模膜层行刻蚀；S5沉积顶电极材料并覆盖硬掩模，形成自对准顶电极；S6移除顶电极材料、硬掩模材料和残留物；本发明的适合制备超精细的MRAM电路，用以解决PR弯曲和倒伏，不能正常的转移图案到MTJ单元，导电硬掩模侧壁倾斜角度过大，有利于MTJ单元的小型化，降低了MRAM电路位线和MTJ单元短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 对准 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
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