[发明专利]掩模及套刻误差测量方法在审
| 申请号： | 201911265665.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111324004A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 田笵焕 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掩模，包括本体及位于所述本体上的至少一个图案部，所述本体上还设有套刻标记，所述套刻标记位于所述图案部的周围，所述套刻标记包括多个套刻子标记，所述多个套刻子标记包括多个衍射套刻子标记及多个图像套刻子标记。本发明提供的掩模既具有多个衍射套刻子标记又具有多个图像套刻子标记，可以对应不同的后续制程处理后的晶圆选择不同的套刻子标记测量，提高测量的准确度。本发明还提供一种套刻误差测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 误差 测量方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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