[发明专利]一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层及随机存储器在审
| 申请号： | 201911265734.1 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951980A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;麻榆阳;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性隧道结垂直各向异性场增强层；所述垂直各向异性场增强层设置于磁性随机存储器存储单元，所述垂直各向异性场增强层为通过溅射沉积工艺形成的第一垂直各向异性场增强层以及通过第二垂直各向异性场增强层的双层结构，所述第一垂直各向异性场增强层通过第二垂直各向异性场增强层HCP晶系晶向的模板作用增强自由层的垂直各向异性场；本发明有利于MRAM电路读/写性能的提升，有利于其磁场免疫能力的提升，有利制作超小型的MRAM电路，具有很强的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 垂直 各向异性 增强 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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