[发明专利]一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201911266838.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111087243A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 周志勇;李玉臣;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/497 | 分类号： | C04B35/497;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开一种致密偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法。所述偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为Pb |
||
| 搜索关键词： | 一种 致密 偏铌酸铅 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911266838.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
