[发明专利]半导体开关在审
| 申请号： | 201911267096.7 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112953484A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 闻林 | 申请（专利权）人： | 闻林 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/081 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214500 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体开关，包含一开关单元，其包含：一晶体管，具有一漏极、一栅极以及一源极；一漏极偏压电阻，耦接漏极；一漏极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压，于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压；一栅极偏压电阻，耦接栅极；一栅极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压，于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压；一源极偏压电阻，耦接源极；以及一源极偏压选择电路，于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压，于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压，其中第一与第二漏极偏压不同，第一与第二栅极偏压不同，第一与第二源极偏压不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 | ||
【主权项】：
暂无信息
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