[发明专利]一种三维存储器的制作方法

摘要

本申请实施例公开了一种三维存储器的制作方法，该制作方法包括：在衬底的第一表面形成堆叠结构；利用第一注入方向的等离子体刻蚀三维存储器的堆叠结构，在堆叠结构中形成第一通孔，第一通孔具有第一延伸方向；其中，第一注入方向基于利用第二注入方向的等离子体在样本三维存储器的堆叠结构中形成的第二通孔的第二延伸方向确定，从而可以在第二通孔的第二延伸方向相较于第二通孔的中心轴线发生倾斜时，基于样本三维存储器的堆叠结构中第二通孔的延伸方向，调整等离子体的注入方向，缓解利用调整后的等离子体的注入方向在三维存储器的堆叠结构中形成的第一通孔的第一延伸方向相较于第一通孔的上端面的中心轴线倾斜程度，提高三维存储器的良率。