[发明专利]包含改进栅极区域的HEMT晶体管及相关制造方法有效
| 申请号： | 201911267996.1 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111326574B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;C·特林加里 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/47;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包含改进栅极区域的HEMT晶体管及相关制造方法。例如，一种HEMT包括：半导体本体，其包含半导体异质结构；以及导电栅极区域。栅极区域包括：接触区域，由第一金属材料制成并接触半导体本体以形成肖特基结；势垒区域，由第二金属材料制成并设置在接触区域上；以及顶部区域，在势垒区域上延伸并由第三金属材料制成，其电阻率低于第一金属材料的电阻率。该HEMT还包括介电区域，介电区域包括在接触区域上方延伸、界定延伸到接触区域的前部开口的至少一个前部介电子区域；并且其中势垒区域延伸到前部开口中并且位于前部介电子区域的至少部分上方。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 改进 栅极 区域 hemt 晶体管 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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