[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911268353.9 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111082314B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 汪丽杰;佟存柱;舒世立;田思聪;张新;陆寰宇;王延靖;宿家鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/068 | 分类号： | H01S5/068;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器从下至上包括N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N面波导、有源区、P面波导、P型包层、P型盖层，P型盖层与预设厚度的P型包层形成多个脊型条，相邻两个脊型条之间通过绝缘隔离沟道隔离开；位于半导体激光器除基侧模光场波峰处之外且位于高阶侧模光场波峰处的脊型条的表面覆盖有电绝缘层，剩余脊型条的表面覆盖有P面电极。本申请公开的上述技术方案，在高阶侧模光场波峰处的脊型条上设置电绝缘层，在剩余脊型条上设置P面电极，以在通电时通过电绝缘层和P面电极实现选择性加电，从而增大高阶侧模的光损耗及降低高阶侧模的增益，以降低激射侧模数量，从而提高激光光束质量和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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