[发明专利]一种沟道结构的制备方法及存储结构有效
| 申请号： | 201911268390.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN110690221B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;韩玉辉;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种沟道结构的制备方法及存储结构。所述沟道结构的制备方法，包括：穿过衬底上的堆叠结构形成沟道柱，所述沟道柱至少包括存储器层；对所述沟道柱的底部进行第一刻蚀，以贯穿所述沟道柱底部所述存储器层和覆盖于所述存储器层之上的保护层；对所述沟道柱的底部进行第二刻蚀，以去除所述沟道柱的所述存储器层，使得所述存储器层的底端形状为直的。如此，在去除保护层之后在沟道柱底部形成较大的横向空间，有利于后续沉积的沟道层与外延层的连接，提高沟道的电学性能，进而提高3D NAND存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 结构 制备 方法 存储 | ||
【主权项】：
1.一种沟道结构的制备方法，其特征在于，包括：/n穿过衬底上的堆叠结构形成沟道柱，所述沟道柱至少包括存储器层；/n对所述沟道柱的底部进行第一刻蚀，以贯穿所述沟道柱底部所述存储器层和覆盖于所述存储器层之上的保护层；/n对所述沟道柱的底部进行第二刻蚀，以去除所述沟道柱的所述存储器层，使得所述存储器层的底端形状为直的。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911268390.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
