[发明专利]用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺在审
| 申请号： | 201911270313.8 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951721A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 谢昇霖;陈奕志;谢静佩;陈冠蓉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于光致抗蚀剂线粗糙度改善的沟槽蚀刻工艺。提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成抗蚀剂结构。抗蚀剂结构包括抗反射涂层(ARC)层和ARC层上方的光致抗蚀剂层。该方法还包括对光致抗蚀剂层进行图案化以在其中形成沟槽。该方法还包括对经图案化的光致抗蚀剂层执行氢等离子体处理。氢等离子体处理被配置为在不蚀刻ARC层的情况下使沟槽的侧壁平滑。该方法还包括使用经图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来对ARC层进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光致抗蚀剂线 粗糙 改善 沟槽 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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