[发明专利]MTJ器件有效
| 申请号： | 201911270954.3 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112951983B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孙一慧 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MTJ器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、反铁磁层、第一耦合层、自旋极化层和覆盖层，其中，所述参考层具有与所述参考层的平面大致垂直的固定磁化；所述自由层具有与所述自由层的平面大致垂直的磁化且磁化方向可在大致平行于所述参考层的磁化方向与大致反平行于所述参考层的磁化方向之间转换；所述自旋极化层具有与所述自旋极化层的平面大致垂直的固定磁化；所述反铁磁层和所述自由层接触，形成一反铁磁/铁磁界面。本发明能够降低MTJ器件的写电流同时保证器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 器件 | ||
【主权项】：
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