[发明专利]一种纳米线及其制作方法有效
| 申请号： | 201911271622.7 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111128676B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;孔真真;李俊峰;殷华湘;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种纳米线的制作方法，包括以下步骤：沿第一方向，在衬底上形成若干沟槽；在每一沟槽中选择性外延生长异质薄膜；淀积介质层，以覆盖异质薄膜；对异质薄膜进行氧化循环退火处理，形成高质量的高迁移率薄膜；在衬底上形成若干纳米线。本发明还提供了利用上述方法制作的纳米线。采用本发明的技术方案能够降低异质薄膜缺陷的生成，并制作具有高迁移率的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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