[发明专利]一种紫外LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201911272005.9 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110854253A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;林耀辉;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种紫外LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、第一半导体层、有源层、开口层、第二半导体层，所述第一半导体层设置在衬底上，所述有源层设置在第一半导体层上，所述开口层设置在有源层上，所述开口层设置在有源层上，所述第二半导体层设置在开口层上；所述开口层包括In |
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| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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