[发明专利]一种双曲正弦型忆阻器电路模型有效

专利信息
申请号: 201911272532.X 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111079363B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 朱斌达;王光义;董玉姣;应佳捷 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G06F30/36 分类号: G06F30/36
代理公司: 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 代理人: 周希良
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种双曲正弦忆阻器的等效模拟电路。本发明中的集成运算放大器U1构成磁通量产生电路,集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算,将输出信号作为忆阻器等效电路的忆导控制信号;双曲正弦型忆阻器等效电路由集成运算放大器U2和乘法器U3构成,集成运算放大器U2用于实现指数运算和加法运算,集成运算放大器U2与乘法器U3相连用于实现除法器的作用,得到需要的双曲正弦信号,乘法器U4用于实现将双曲正弦信号和电压量相乘,得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的模拟电路,用以模拟忆阻器的磁通电荷特性,替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
搜索关键词: 一种 正弦 型忆阻器 电路 模型
【主权项】:
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