[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、CMOS反相器在审
| 申请号： | 201911273124.6 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111106242A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志;李佳育 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种薄膜晶体管及其制备方法、CMOS反相器，薄膜晶体管包括衬底基板、介质层，以及半导体层，其中，半导体层还包括源极、漏极以及栅极，源极与漏极之间设置有第一沟道，第一沟道中设置有碳纳米管，漏极与栅极之间设置有第二沟道，第二沟道中设置有离子胶，所述离子胶同时覆盖半导体层。通过调控离子胶的组成成分以及掺杂剂的含量，并制备CMOS反相器性能的逻辑电路，进而有效的对碳纳米管薄膜晶体管的阈值电压进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 cmos 反相器 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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